[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580073894.X 申请日: 2015-07-23
公开(公告)号: CN107210233B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 长谷川和功;冈浩伟 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;闫剑平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供半导体器件及其制造方法,提高半导体器件的可靠性。因此,将尽可能不在成为多孔质状态的Ag层(AGL)的表面上形成临时固定材料(TA),同时,使用具有粘性的临时固定材料(TA)将搭载于Ag层(AGL)上的半导体芯片(CHP1)固定这一基本思想具体化。具体来说,以具有与芯片搭载部(TAB)接触的部分的方式供给临时固定材料(TA),且以半导体芯片(CHP1)的背面的一部分与临时固定材料(TA)接触的方式将半导体芯片(CHP1)搭载于Ag层(AGL)上。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件的制造方法,其具有:(a)准备具有芯片搭载部和多个引线的引线框架的工序;(b)将在第一溶剂中含有多个第一Ag的薄片的第一膏向所述芯片搭载部上供给的工序;(c)通过加热所述第一膏,使所述膏中的所述第一溶剂挥发,在所述芯片搭载部上形成第一Ag层的工序;(d)将具有形成有第一电极焊盘的表面、和与所述表面为相反侧的面且形成有第二电极的背面的半导体芯片搭载于所述芯片搭载部上的所述第一Ag层上的工序;以及(e)在所述(d)工序之后,对所述半导体芯片施加热和压力,将所述半导体芯片的所述第二电极和所述第一Ag层电连接的工序,所述(d)工序包含:(d1)以与所述芯片搭载部接触的方式供给第一材料的工序;(d2)以使所述半导体芯片的所述背面的一部分与所述第一材料接触的方式将所述半导体芯片搭载于所述第一Ag层上的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580073894.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top