[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201580073894.X | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN107210233B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 长谷川和功;冈浩伟 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供半导体器件及其制造方法,提高半导体器件的可靠性。因此,将尽可能不在成为多孔质状态的Ag层(AGL)的表面上形成临时固定材料(TA),同时,使用具有粘性的临时固定材料(TA)将搭载于Ag层(AGL)上的半导体芯片(CHP1)固定这一基本思想具体化。具体来说,以具有与芯片搭载部(TAB)接触的部分的方式供给临时固定材料(TA),且以半导体芯片(CHP1)的背面的一部分与临时固定材料(TA)接触的方式将半导体芯片(CHP1)搭载于Ag层(AGL)上。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件的制造方法,其具有:(a)准备具有芯片搭载部和多个引线的引线框架的工序;(b)将在第一溶剂中含有多个第一Ag的薄片的第一膏向所述芯片搭载部上供给的工序;(c)通过加热所述第一膏,使所述膏中的所述第一溶剂挥发,在所述芯片搭载部上形成第一Ag层的工序;(d)将具有形成有第一电极焊盘的表面、和与所述表面为相反侧的面且形成有第二电极的背面的半导体芯片搭载于所述芯片搭载部上的所述第一Ag层上的工序;以及(e)在所述(d)工序之后,对所述半导体芯片施加热和压力,将所述半导体芯片的所述第二电极和所述第一Ag层电连接的工序,所述(d)工序包含:(d1)以与所述芯片搭载部接触的方式供给第一材料的工序;(d2)以使所述半导体芯片的所述背面的一部分与所述第一材料接触的方式将所述半导体芯片搭载于所述第一Ag层上的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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