[发明专利]发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置有效
| 申请号： | 201580074190.4 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107210340B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 孙秀亨;李建和;崔炳均;崔光基 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L21/285;H01L21/687 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种实施例的发光元件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及第一电极和第二电极，被分别置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，其中，发光结构包括第一台面区域，第一导电型半导体层包括第二台面区域，以及第一电极包括：第一区域，其是第二台面区域上表面的部分区域；第二区域，其是第二台面区域的侧表面；以及第三区域，布置成从第二台面区域侧表面的边缘开始延伸，其中，第一、第二和第三区域被形成为使得第一区域的厚度(d1)、第二区域的厚度(d2)和第三区域的厚度(d3)的比例为d1：d2：d3＝1:0.9至1.1:1。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 用于 制造 电子束 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种发光元件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及第一电极和第二电极，分别布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上，其中，所述发光结构包括第一台面区域，以及所述第一导电半导体层包括第二台面区域，其中，所述第一电极包括：第一区域，位于所述第二台面区域的上表面的一部分上；第二区域，位于所述第二台面区域的侧表面上；以及第三区域，布置为从所述第二台面区域的所述侧表面的边缘延伸，以及其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域具有以下厚度比率：d1:d2:d3＝1:0.9至1.1:1其中，d1是所述第一区域的厚度，d2是所述第二区域的厚度，d3是所述第三区域的厚度。
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