[发明专利]用于确定功率半导体模块的老化的方法以及设备和电路装置有效
| 申请号： | 201580075282.4 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107209222B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | J.A.布特朗-科阿;A.林德曼;G.米蒂克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/04;H02M1/32;H03K17/08 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 侯宇<国际申请>=PCT/EP2015/ |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于表征具有至少一个功率半导体元件(2)的功率半导体模块(1)的方法，具有步骤：在参考时间点确定功率半导体模块(1)的热模型(4)，根据功率半导体模块(1)的热模型(4)确定参考温度(Tj,zth)，在功率半导体模块(1)运行时在相对于参考时间点稍后的至少一个时间点测量功率半导体模块(1)的至少一个温度敏感的电气参数(TSEP)，根据测量的功率半导体模块(1)的至少一个温度敏感的电气参数(TSEP)确定功率半导体模块(1)的当前温度(Tj,tsep)，确定当前温度(Tj,tsep)和参考温度(Tj,zth)之间的温度差(ΔT)，以及根据所确定的温度差(ΔT)确定功率半导体模块(1)的老化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 功率 半导体 模块 老化 方法 以及 设备 电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于表征具有至少一个功率半导体元件(2)的功率半导体模块(1)的方法，具有步骤：/n-在参考时间点确定功率半导体模块(1)的热模型(4)，参考时间点处于功率半导体模块(1)开始使用之前，其中，为了建立热模型(4)，确定功率半导体模块(1)的描述功率半导体模块(1)的热通路的热阻抗，/n-根据功率半导体模块(1)的热模型(4)确定参考温度(Tj,zth)，/n-在功率半导体模块(1)运行时在相对于参考时间点稍后的至少一个时间点测量功率半导体模块(1)的至少一个温度敏感的电气参数(TSEP)，/n-根据测量的功率半导体模块(1)的至少一个温度敏感的电气参数(TSEP)确定功率半导体模块(1)的当前温度(Tj,tsep)，/n-确定当前温度(Tj,tsep)和参考温度(Tj,zth)之间的温度差(ΔT)，以及/n-根据所确定的温度差(ΔT)确定功率半导体模块(1)的老化。/n
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