[发明专利]形成光电器件的光活性层的方法有效
| 申请号： | 201580075932.5 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107210367B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | T·W·琼斯;G·J·威尔森;K·F·安德森;A·F·霍伦坎普;N·W·杜飞;N·J·菲莱特 | 申请（专利权）人： | 联邦科学和工业研究组织 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 澳大利*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 形成光电器件的薄膜光活性层的方法，其包括：提供衬底，该衬底具有包含或涂覆有金属M的表面，该金属M选自Pb、Sn、Ge、Si、Ti、Bi或In的至少一种；和将该衬底的金属表面或金属涂层转化为钙钛矿层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光电 器件 活性 方法 | ||
【主权项】：
1.形成光电器件的薄膜光活性层的方法，其包括：/n提供衬底，该衬底具有包含或涂覆有金属M的金属表面，该金属M选自Pb、Sn、Ge、Si、Ti、Bi或In的至少一种；和/n使用转化工艺将该衬底的金属表面或金属涂层转化为包含有机金属卤化物钙钛矿的钙钛矿层，该转化工艺包括如下步骤：/n使该衬底的金属表面接触选自卤化物蒸气或乙酸蒸气的蒸气X以在该衬底上形成金属化合物涂层，该卤化物蒸气包含F、Cl、Br或I的至少一种；并且此后/n通过气相沉积将至少一种钙钛矿前体施加至该衬底上的该金属化合物涂层上以形成钙钛矿层，/n其中该至少一种钙钛矿前体包含至少一种具有式AX的化合物、或用于形成至少一种具有式AX的化合物的至少一种反应成分，其中A包含铵基或其他含有氮的有机阳离子并且X选自F、Cl、Br或I中的至少一种。/n
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