[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580076028.6 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107251201B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 渡部俊一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体晶片(1)的表面形成第1膜(3)。在第1膜(3)之上形成第2膜(4)。以覆盖第1膜(3)及第2膜(4)的方式形成表面保护膜(5)。在形成了表面保护膜(5)后通过药液对半导体晶片(1)的背面进行蚀刻。第1膜(3)也形成在半导体晶片(1)的外周部。第2膜(4)没有形成在半导体晶片(1)的外周部。在半导体晶片(1)的外周部处第1膜(3)与表面保护膜(5)密接。第1膜(3)与第2膜(4)相比相对于表面保护膜(5)的密接性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述工序：在半导体晶片的表面形成第1膜；在所述第1膜之上形成第2膜；以覆盖所述第1及第2膜的方式形成表面保护膜；以及在形成了所述表面保护膜后通过药液对所述半导体晶片的背面进行蚀刻，所述第1膜也形成在所述半导体晶片的外周部，所述第2膜没有形成在所述半导体晶片的外周部，在所述半导体晶片的外周部处所述第1膜与所述表面保护膜密接，所述第1膜与所述第2膜相比相对于所述表面保护膜的密接性高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
