[发明专利]优化金属平坦化工艺的方法有效
| 申请号： | 201580076084.X | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107210209B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 金一诺;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种优化金属平坦化工艺的方法，包括：采用化学机械平坦化工艺去除互连结构上表面上的大部分金属层直到剩余金属层的厚度达到预定值Y，剩余金属层为覆盖互连结构上表面的连续层，其中，剩余金属层具有第一表面平均粗糙度Ra1，该第一表面平均粗糙度Ra1是由化学机械平坦化工艺引起的；采用无应力抛光工艺去除互连结构上表面上的剩余金属层，无应力抛光工艺完成后，互连结构凹进区域内的金属层的上表面低于互连结构的上表面，其凹陷值为H2，其中，凹进区域内的金属层具有第二表面平均粗糙度Ra2，该第二表面平均粗糙度Ra2是由无应力抛光工艺引起的，无应力抛光工艺去除的金属层的厚度除以Ra2得到比值α；当设置一凹陷值，为了得到无应力抛光工艺后金属表面粗糙度最小值，化学机械平坦化工艺后剩余金属层的厚度满足以下方程式：Y＝α/6*H2‑αRa1。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 金属 平坦 化工 方法 | ||
【主权项】：
一种优化金属平坦化工艺的方法，其特征在于，包括：采用化学机械平坦化工艺去除互连结构上表面上的大部分金属层直到剩余金属层的厚度达到预定值Y，该剩余金属层为覆盖互连结构上表面的连续层，其中，该剩余金属层具有第一表面平均粗糙度Ra1，该第一表面平均粗糙度Ra1是由化学机械平坦化工艺引起的；采用无应力抛光工艺去除互连结构上表面上的剩余金属层，无应力抛光工艺完成后，互连结构凹进区域内的金属层的上表面低于互连结构的上表面，其凹陷值为H2，其中，凹进区域内的金属层具有第二表面平均粗糙度Ra2，该第二表面平均粗糙度Ra2是由无应力抛光工艺引起的，无应力抛光工艺去除的金属层的厚度除以Ra2得到比值α；当设置凹陷值H2时，为了得到无应力抛光工艺后金属表面粗糙度最小值，化学机械平坦化工艺后剩余金属层的厚度Y满足以下方程式：Y＝α/6*H2‑αRa1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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