[发明专利]多频段辐射元件在审
| 申请号： | 201580076357.0 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107251318A | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李秀元;罗相根;罗度宣 | 申请（专利权）人： | 伽马纽股份公司 |
| 主分类号： | H01Q5/28 | 分类号： | H01Q5/28;H01Q5/385;H01Q5/392;H01Q1/38;H01Q19/10 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司11440 | 代理人： | 齐晓静 |
| 地址： | 韩国京畿道华城*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多频段辐射元件，本发明的特征在于，包括第一高频辐射元件，形成于基板的上部面；一个以上的第一低频寄生元件，形成于上述基板的上部面，从上述第一高频放射元件向上述基板的外围方向隔开规定距离而成；一个以上的第二低频寄生元件，形成于上述基板的上部面，从上述第一高频放射元件向上述基板的外围方向隔开规定距离而成；第二高频辐射元件，形成于上述基板的底部面；以及反射板，从上述基板的底部面隔开固定距离而成。 | ||
| 搜索关键词： | 频段 辐射 元件 | ||
【主权项】：
一种多频段辐射元件，其特征在于，包括：第一高频辐射元件，形成于基板的上部面；一个以上的第一低频寄生元件，形成于上述基板的上部面，从上述第一高频放射元件向上述基板的外围方向隔开规定距离而成；一个以上的第二低频寄生元件，形成于上述基板的上部面，从上述第一高频放射元件向上述基板的外围方向隔开规定距离而成；第二高频辐射元件，形成于上述基板的底部面；以及反射板，从上述基板的底部面隔开固定距离而成。
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