[发明专利]MEMS换能器封装件有效
| 申请号： | 201580076399.4 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107258089A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | T·胡克斯特拉;D·T·帕特恩 | 申请（专利权）人： | 思睿逻辑国际半导体有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 郑建晖;关丽丽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种MEMS换能器封装件(1)包括半导体管芯元件(3)和帽元件(23)。该半导体管芯元件(3)和该帽元件(23)具有配合表面(9，21)。该半导体管芯元件(3)和该帽元件(23)被配置为使得，当该半导体管芯元件(3)和该帽元件(4)结合时，第一容积(7，27)被形成为穿过该半导体管芯元件(3)且进入该半导体帽元件(23)内，并且一个声学通道被形成，以在该半导体管芯元件(3)的非配合表面(11)和该换能器封装件的侧表面(10，12)或该帽元件(23)的非配合表面(29)之间提供一个开口。 | ||
| 搜索关键词： | mems 换能器 封装 | ||
【主权项】：
一种MEMS换能器封装件(1)，包括：一个半导体管芯部分(3)，具有由第一表面(9)和相对的第二表面(11)所界定的一厚度；一个换能器元件(13)，被纳入所述第二表面中；一个管芯后容积(7)，在所述第一表面(9)和所述换能器元件(13)之间延伸穿过所述半导体管芯部分(3)的厚度；以及一个声学管芯通道(15)，在所述第一表面(9)和所述第二表面(11)之间延伸穿过所述半导体管芯部分(3)的厚度。
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