[发明专利]用于对半导体结构执行外延平滑工艺的系统和方法有效
| 申请号： | 201580076594.7 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107251202B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | C·R·洛特 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王英杰;杨晓光 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于处理半导体结构的系统和方法。所述方法一般地包括确定用于半导体结构的器件层的期望去除图形轮廓，基于所述期望去除图形轮廓确定用在外延平滑工艺中的工艺参数组，以及通过对所述器件层的外表面执行外延平滑工艺而选择性地从所述器件层去除材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对半 导体 结构 执行 外延 平滑 工艺 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在所述处理晶片与所述硅层之间的电介质层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开表面，所述方法包括：确定关于所述绝缘体上硅结构的所述硅层的期望去除图形轮廓；基于所述期望去除图形轮廓确定用在外延平滑工艺中的工艺参数组；以及通过使用所述确定的工艺参数组对所述裂开表面执行外延平滑工艺而根据所述去除图形轮廓选择性地从所述硅层去除材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
