[发明专利]晶片上进行外延生长的反应器重启动的准备方法

摘要

实施例包括：作为在用于对在晶片上进行外延生长的外延反应器的重新启动进行准备的过程中在反应室的内部进行烘烤的步骤，随时间阶段性增大反应室的温度的步骤；以及通过反应室侧面设置的主阀和狭缝阀向基座上部和下部引入氢气的步骤。因此，反应室内部的环境随着用于将热传递到反应室中的热源的功率阶段性地增大而变得不稳定，从而使停滞的湿气和污染物流动并且有效地排出该停滞的湿气和污染物。

主权项

1.一种作为对反应室的内部进行烘烤的过程而对外延生长装置的重操作进行准备的方法，其中在所述反应室中在晶片上进行外延生长，所述方法包括：将氮气注入具有室温的所述反应室中一段时间的过程；将所述反应室的内部提高到预定温度的过程；在温度升高后的所述反应室在预定时间内保持高温的同时使用氢气执行烘烤过程的过程；确认所述反应室中是否存在掺杂物的过程；以及去除所述反应室中残留的金属污染源的过程；其中，所述执行烘烤过程的过程包括：随时间阶段性升高所述反应室的内部温度；以及通过所述反应室的侧面提供的主阀和狭缝阀将氢气引入到基座的上侧和下侧，其中，随时间阶段性升高所述反应室的内部温度包括：将给所述反应室施加热的加热源的功率设置为随时间阶段性增大。/n