[发明专利]用于生长单晶硅锭的装置和方法在审
| 申请号： | 201580076628.2 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107407003A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 金尚熹;郑容好 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B30/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 温剑,刘多益 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种实施方式提供一种用于生长单晶硅锭的方法，所述方法可包括在坩埚中制备硅熔液；将种晶探入硅熔液；旋转种晶和坩埚，同时向坩埚施加水平磁场；以及提拉从硅熔液中生长的硅锭，其中，生长的硅锭和硅熔液之间的界面形成于离水平面向下1‑5毫米的位置，且生长后的硅锭的体积微缺陷(BMD)尺寸为55‑65纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 单晶硅 装置 方法 | ||
【主权项】：
生长单晶硅锭的方法，该方法包括：在坩埚中制备硅熔液；将种晶探入所述硅熔液；旋转种晶和坩埚，同时向坩埚施加水平磁场；以及向上提拉从硅熔液中生长的硅锭，其中，生长中的硅锭和硅熔液之间的界面形成于离水平面向下1‑5毫米的位置，且生长后的硅锭的体积微缺陷(BMD)尺寸为55‑65纳米。
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