[发明专利]电子装置的光刻图案化有效
| 申请号： | 201580076711.X | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107251190B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·罗伯特·罗贝洛;特伦斯·罗伯特·欧图尔;弗兰克·沙维尔·伯恩;黛安娜·卡罗尔·弗里曼 | 申请（专利权）人： | 正交公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种将装置图案化的方法，包括在装置基底上形成氟化光聚合物层。所述光聚合物层具有邻近所述装置基底的下部和远离所述装置基底的上部。所述氟化光聚合物层包含辐射吸收染料和具有改变溶解度的反应性基团的氟化光聚合物。使所述光聚合物层暴露于图案化辐射以根据所述图案化辐射形成曝光区域和未曝光区域，并通过使用包含第一氟化溶剂的显影剂去除未曝光区域来形成显影结构。所述光聚合物层的曝光区域的下部在所述显影剂中的溶解速率是上部的溶解速率的至少5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 光刻 图案 | ||
【主权项】：
一种将装置图案化的方法，包括以下步骤：在装置基底上形成氟化光聚合物层，所述氟化光聚合物层具有邻近所述装置基底的下部和远离所述装置基底的上部，所述氟化光聚合物层包含辐射吸收染料和具有改变溶解度的反应性基团的氟化光聚合物；使所述光聚合物层暴露于图案化辐射以根据所述图案化辐射形成曝光区域和未曝光区域；以及通过在包含第一氟化溶剂的显影剂中去除未曝光区域来形成显影结构，其中所述光聚合物层的所述曝光区域的下部在所述显影剂中的溶解速率是上部的溶解速率的至少5倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
