[发明专利]保护膜形成用膜有效
| 申请号： | 201580077332.2 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN107428963B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 稻男洋一;佐伯尚哉 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08G59/62;H01L21/301;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的保护膜形成用膜用于形成保护半导体芯片的保护膜，其中，固化后的膜表面的肖氏硬度D为55以上，而且杨氏模量(23℃)为1.0×10 |
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| 搜索关键词： | 保护膜 形成 | ||
【主权项】：
一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，其中，固化后的膜表面的肖氏硬度D为55以上，而且固化后的杨氏模量(23℃)为1.0×109Pa以上。
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