[发明专利]射束阱、射束引导装置、EUV辐射产生设备和用于吸收射束的方法有效

专利信息
申请号: 201580077421.7 申请日: 2015-03-04
公开(公告)号: CN107405728B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: M·兰贝特 申请(专利权)人: 通快激光系统半导体制造有限公司
主分类号: B23K26/70 分类号: B23K26/70
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种射束阱(20),其包括:用于反射入射到所述反射器(21)的表面上的射束、尤其激光射束(5)的反射器(21),以及用于吸收在所述反射器(21)的表面(21a)处经反射的射束的吸收器装置(22)。所述反射器(21)的表面是分段的并且具有多个反射器区域(23a‑g),所述多个反射器区域构造用于将所述入射射束的相应的部分射束(25a‑g)反射到所述吸收器装置(22)的分配给所述相应的反射器区域(23a‑g)的吸收器区域(26a‑g)。本发明也涉及一种具有这种射束阱(20)的射束引导装置、具有这种射束引导装置的EUV辐射产生设备(1)以及所属的用于吸收射束、尤其用于吸收激光射束(5)的方法。
搜索关键词: 射束阱 引导 装置 euv 辐射 产生 设备 用于 吸收 方法
【主权项】:
一种射束阱(20),其包括:用于反射一入射到所述反射器(21)的表面(21a)上的射束、尤其激光射束(5)的反射器(21),以及用于吸收在所述反射器(21)的表面(21a)处经反射的射束的吸收器装置(22),其中,所述反射器(21)的表面(21a)是分段的并且具有多个反射器区域(23a‑g),所述多个反射器区域构造用于将入射射束的相应的部分射束(25a‑g)反射到所述吸收器装置(22)的分配给相应的反射器区域(23a‑g)的吸收器区域(26a‑g)中。
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