[发明专利]半导体X射线检测器有效
| 申请号： | 201580077787.4 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN108271415B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/16 | 分类号： | G01T1/16;G01T1/17;G01T1/24;G01N23/083;A61B6/03 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 罗水江 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 用于检测X射线的装置(100)包括：X射线吸收层(110)，其包括电极；第一电压比较器(301)，其配置成将电极的电压与第一阈值(V1)比较；第二电压比较器(302)，其配置成将该电压与第二阈值(V2)比较；计数器(320)，其配置成记录X射线吸收层(110)所吸收的X射线光子的数目；控制器(310)；该控制器(310)配置成从第一电压比较器(301)确定所述电压的绝对值等于或超出第一阈值(V1)的绝对值的时间启动时间延迟(TD1,TD2)，在时间延迟(TD1,TD2)期间启动第二电压比较器(302)，如果在时间延迟(TD1,TD2)期间第二电压比较器(302)确定所述电压的绝对值等于或超出第二阈值(V2)的绝对值则促使计数器(320)记录的数目增加一。 | ||
| 搜索关键词： | 电压比较器 计数器 控制器 配置 电极 检测X射线 时间启动 数目增加 记录 半导体 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种适合检测X射线的装置，其包括：X射线吸收层，其包括电极；第一电压比较器，其配置成将所述电极的电压与第一阈值比较；第二电压比较器，其配置成将所述电压与第二阈值比较；计数器，其配置成记录所述X射线吸收层所吸收的X射线光子的数目；控制器；其中所述控制器配置成从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第一阈值的绝对值的时间启动时间延迟；其中所述控制器配置成在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；其中所述控制器配置成如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第二阈值的绝对值则促使所述计数器记录的数目增加一。
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