[发明专利]隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201580077844.9 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN107431088B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 赵静;杨喜超;吴昊;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法，其中，一种隧穿晶体管，包括衬底(10)、源极区域(20)、沟道(60)、两个漏极区域(70)、栅介质层(30)及栅极区域(40)，所述源极区域(20)形成于所述衬底(10)之上，所述沟道(60)形成于所述两个漏极区域(70)与所述源极区域(20)之间，所述栅介质层(30)形成于所述栅极区域(40)与所述源极区域(20)之间，所述栅介质层(30)朝向所述源极区域(20)的表面设有第一槽(30a)，且所述源极区域(20)部分收容于所述第一槽(30a)内。还提供一种隧穿晶体管的制作方法。采用线隧穿机制提高了隧穿晶体管的隧穿几率，进而增大了隧穿晶体管的隧穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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