[发明专利]隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201580077845.3 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN107431089B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;张臣雄;杨喜超;赵静 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了一种隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法，其中，一种隧穿晶体管，包括衬底(10)、第一源极区域(50)、漏极区域(60)、第二源极区域(80)、沟道(90)、晕环层(100)、栅介质层(20)及栅极区域(30)，所述第一源极区域(50)及所述漏极区域(60)形成于所述衬底(10)之上，所述第二源极区域(80)形成于所述第一源极区域(50)及所述漏极区域(60)之间，使得所述第二源极区域(80)与所述漏极区域(60)之间形成沟道(90)，所述晕环层(100)形成于所述第二源极区域(80)的部分表面之上，所述栅介质层(20)及所述栅极区域(30)依次形成于所述晕环层(100)之上。还提供一种隧穿晶体管的制作方法。采用线隧穿机制提高了隧穿晶体管的隧穿几率，进而增大了隧穿晶体管的隧穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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