[发明专利]用于电子束曝光系统的精密对准系统有效
| 申请号： | 201580078094.7 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107431037B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | Y·A·波罗多维斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544;H01J37/317;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了适用于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，电子束工具的精密对准的方法包括：在沿着Y移动晶圆时，在晶圆的X方向对准特征上投射电子束列的多个孔径的电子图像。该方法还包括：在投射期间检测时间分辨的背散射电子(BSE)检测响应波形。该方法还包括：通过计算BSE检测响应波形的导数来确定X方向对准特征的每个特征的每个边缘的X位置。该方法还包括：在确定X方向对准特征的每个特征的每个边缘的X位置之后，调整电子束列与晶圆的对准。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子束 曝光 系统 精密 对准 | ||
【主权项】：
一种电子束工具的精密对准的方法，所述方法包括：在沿着Y方向移动晶圆时，在所述晶圆的X方向对准特征上投射电子束列的多个孔径的电子图像；在所述投射期间检测时间分辨的背散射电子(BSE)检测响应波形；通过计算所述BSE检测响应波形的导数来确定所述X方向对准特征的每个特征的每个边缘的X位置；以及在确定所述X方向对准特征的每个特征的每个边缘的X位置之后，调整所述电子束列与所述晶圆的对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
