[发明专利]半导体存储装置

摘要

一种半导体存储装置(1)，其配备有在面向存储器芯片(10)的电路表面(11)的除中心焊盘区(14)以外的位置处布置的薄膜电容器(30)。所述薄膜电容器(30)包括第一平面电极(31)、顺电材料或铁电材料的薄膜介电层(33)和第二平面电极(32)。第一平面电极包括被提供有针对存储器芯片的一个极性的电源电压的第一电源输入部(31Gin)、以及被布置在中心焊盘区附近以将一个极性的电源电压输出给中心焊盘(13)的第一电源输出部(31Gout)。第二平面电极被形成在薄膜介电层上，并且包括被提供有针对存储器芯片的另一极性的电源电压的第二电源输入部(32Vin)、以及被布置在中心焊盘区附近以将另一极性的电源电压施加给中心焊盘的第二电源输出部(32Vout)。

主权项

1.一种配备有存储器芯片的半导体存储装置，所述存储器芯片包括电路表面和背表面，所述电路表面具有中心焊盘区，在所述中心焊盘区中形成有多个中心焊盘，所述背表面在相对于所述电路表面的相反侧上，所述半导体存储装置包括：薄膜电容器，所述薄膜电容器被布置在除所述中心焊盘区以外的、面向所述电路表面的位置处；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层被形成在与面向所述存储器芯片的所述电路表面的表面相反的所述薄膜电容器的表面上，所述第一绝缘层具有形成在其上的传输线，其中，所述薄膜电容器包括：第一平面电极，所述第一平面电极包括第一电源输入部和第一电源输出部，针对所述存储器芯片的一个极性的电源电压被提供到所述第一电源输入部，所述第一电源输出部被布置在所述中心焊盘区附近以将所提供的一个极性的电源电压输出到所述中心焊盘；顺电材料或铁电材料的薄膜介电层，所述薄膜介电层被形成在除所述第一电源输入部和所述第一电源输出部以外的所述第一平面电极上；以及第二平面电极，所述第二平面电极被形成在所述薄膜介电层上并且包括第二电源输入部和第二电源输出部，针对所述存储器芯片的另一极性的电源电压被提供到所述第二电源输入部，所述第二电源输出部被布置在所述中心焊盘区附近以将所提供的另一极性的电源电压施加到所述中心焊盘，并且所述传输线包括信号输入部和信号输出部，针对所述存储器芯片的信号被提供到所述信号输入部，所述信号输出部被布置在所述中心焊盘区附近以将所提供的信号提供到所述中心焊盘。