[发明专利]薄膜晶体管以及显示面板有效
| 申请号： | 201580078351.7 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107408578B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 石田茂;野寺伸武;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管包括：栅电极(2)，形成于基板(1)的表面；第一非晶硅层(4)，形成于栅电极(2)的上侧；多个多晶硅层(51、52、53)，被第一非晶硅层(4)分离，并且具有所需的间隔尺寸而形成于栅电极(2)的上侧；第二非晶硅层(6)和n+硅层(7)，形成于多个多晶硅层(51、52、53)和第一非晶硅层(4)的上侧；源电极(8)和漏电极(9)，形成在n+硅层(7)上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极，形成于基板的表面，第一非晶硅层，形成于该栅电极的上侧，多个多晶硅层，被该第一非晶硅层分离，并且，彼此之间具有所需的间隔尺寸地形成于所述栅电极的上侧，第二非晶硅层和n+硅层，形成于所述多个多晶硅层和所述第一非晶硅层的上侧，源电极和漏电极，形成在该n+硅层上。
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