[发明专利]氮化物半导体场效应晶体管

摘要

在氮化物半导体场效应晶体管中，第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2)，另一方面，第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分，朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出，并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成，且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。

主权项

一种氮化物半导体场效应晶体管，其特征在于具备：氮化物半导体层压体，具有异质界面，并且具有自表面朝向所述异质界面凹入的凹部；源极电极，配置于所述氮化物半导体层压体的表面上；漏极电极，在所述氮化物半导体层压体的表面上，以相对于所述源极电极隔有间隔的方式配置，且一部分进入所述凹部内；栅极电极，配置于所述源极电极与所述漏极电极之间；第一绝缘膜，形成于所述氮化物半导体层压体的表面上，至少含有硅及氮作为构成元素；及第二绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜上；所述第一绝缘膜的所述凹部侧的端，与所述凹部的开口缘相隔预先设定的距离，另一方面，所述第二绝缘膜的所述凹部侧的端，与所述第一绝缘膜的所述凹部侧的端相隔预先设定的距离；所述漏极电极的所述凹部外的部分，朝向所述栅极电极侧呈屋檐状突出，并且以从所述凹部跨及所述氮化物半导体层压体、第一绝缘膜及第二绝缘膜的各表面上的方式形成，且与所述氮化物半导体层压体、第一绝缘膜及第二绝缘膜的各表面接触。