[发明专利]CMOS工艺中的硅上锗激光器有效
| 申请号： | 201580078947.7 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN107534267B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | M·普罗斯特;M·埃尔库尔迪;P·博考德;F·伯夫 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;国家科学研究中心;巴黎南方大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/042;H01S5/227;H01S5/30;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成锗波导的方法，包括步骤：提供P型硅衬底(1)，采用重掺杂N型锗层(3)并采用第一N型掺杂硅层(5)涂覆；形成穿透至衬底中的沟槽(7)以形成衬底条带、锗条带、以及第一硅条带(5)的堆叠；以及采用氮化硅层(9)涂覆整个结构。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 中的 硅上锗 激光器 | ||
【主权项】：
一种形成锗波导的方法，包括步骤：提供P型硅衬底(1)，所述P型硅衬底(1)采用重掺杂N型锗层(3)和第一N型掺杂硅层(5)涂覆；形成沟槽(7)，所述沟槽(7)穿透至所述衬底中，以形成衬底条带、锗条带和第一硅条带(5)的堆叠；以及采用氮化硅层(9)涂覆整个结构。
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