[发明专利]用于制造高密度存储器阵列的装置以及方法有效
| 申请号： | 201580078966.X | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107534044B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | K·J·李;王奕;E·N·谭 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/22;G11C11/16;G11C5/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种装置，包括：与晶体管栅极非正交的非正交晶体管鳍状物；具有非直角边的扩散接触部，扩散接触部耦合到非正交晶体管鳍状物；第一过孔；以及至少一个存储器元件，其通过第一过孔中的至少一个耦合到扩散接触部中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 高密度 存储器 阵列 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：非正交晶体管鳍状物，所述非正交晶体管鳍状物与晶体管栅极非正交；扩散接触部，所述扩散接触部具有非直角边，所述扩散接触部耦合到所述非正交晶体管鳍状物；第一过孔；以及至少一个存储器元件，所述至少一个存储器元件通过所述第一过孔中的至少一个过孔耦合到所述扩散接触部中的至少一个扩散接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
