[发明专利]半导体功率器件以及组装半导体功率器件的方法在审

专利信息
申请号: 201580079543.X 申请日: 2015-05-08
公开(公告)号: CN107567657A 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: J-M·F·雷尼斯;J·P·H·法夫雷;R·A·拉卡班尼 申请(专利权)人: 敏捷电源开关三维集成APSI3D
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L23/498;H01L21/60
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司11285 代理人: 郑建晖,关丽丽
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体功率器件和一种组装这样的器件的方法。半导体功率器件包括第一衬底、第二衬底和互连结构。第一衬底包括一个开关半导体元件、第一导电层和第一接收元件。第二衬底包括第二接收元件和第二导电层。互连结构提供第一导电层和第二导电层之间的电气连接。互连结构还包括由导电材料制成的多个互连元件。多个互连元件中的至少一个是对准互连元件。对准互连元件被第一接收元件部分地接收且被第二接收元件部分地接收,用于对准第一衬底相对于第二衬底的相对位置。
搜索关键词: 半导体 功率 器件 以及 组装 方法
【主权项】:
一种半导体功率器件(100,200,400),包括:‑第一衬底(140,240,340),所述第一衬底(140,240,340)包括一个开关半导体元件(144,244,344),所述第一衬底(140,240,340)具有第一表面(141,241,341)且包括第一接收元件(150,250,350)并且局部地包括第一导电层(142,146,246,242,342,345),所述开关半导体元件(144,244,344)被设置在所述第一表面(141,241,341)上,‑第二衬底(110,210,310),所述第二衬底(110,210,310)包括面向所述第一表面(141,241,341)的第二表面(111,211,311),所述第二衬底(110,210,310)包括第二接收元件(120,220,320)并且局部地包括第二导电层(112,116,212,216,312...318);以及‑互连结构,用于提供位于一侧的所述第一导电层(142,146,246,242,342,345)中的至少一个和位于另一侧的所述第二导电层(112,116,212,216,312…318)中的至少一个之间的至少一个电气连接,所述互连结构包括具有导电材料的多个互连元件(130,132,230,232,332,332’,430),所述多个互连元件中的至少一个是对准互连元件(130,230,430),所述对准互连元件(130,230,430)被所述第一接收元件(150,250,350)部分地接收并且被所述第二接收元件(120,220,320)部分地接收,用于对准所述第一衬底(140,240,340)相对于所述第二衬底(110,210,310)的相对位置,其中所述接收元件(120,150,220,250,320,350)具有一个凹口,所述凹口被成形为用于至少部分地接收所述对准互连元件(130,230,430),并且所述对准互连元件(130,230,430)的形状被选择为使得,当所述接收元件(120,150,220,250,320,350)和所述对准互连元件(130,230,430)中的相应的一个作用于彼此并且当所述对准互连元件(130,230,430)或所述接收元件(120,150,220,250,320,350)中的相应的一个接收到力时,影响所述对准互连元件(130,230,430)相对于所述接收元件(120,150,220,250,320,350)中的每个接收元件定位到唯一固定的位置。
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