[发明专利]用于将过生长层施加至晶种层上的方法在审
| 申请号： | 201580079657.4 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108368640A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | G.克赖因德尔;H.扎格尔迈尔;M.艾贝胡贝尔 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B23/04 | 分类号： | C30B23/04;C23C14/04;C23C16/04;C30B25/04;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 段菊兰;杨思捷 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法，其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种层 生长层 掩蔽 施加 半导体组件 压印 掩模 生产 | ||
【主权项】：
1.一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法，其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司，未经EV集团E·索尔纳有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580079657.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单晶锭生长装置
- 下一篇：半导体基板、以及外延晶片及其制造方法
