[发明专利]集成MEMS结构与互连和过孔有效
| 申请号： | 201580080251.8 | 申请日： | 2015-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107709225B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | K.L.林;C.帕瓦舍;R.金;I.A.扬;K.J.辛格;R.L.布里斯托尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将导电层沉积到衬底上的牺牲层中的沟槽中。在导电层之上沉积蚀刻停止层。移除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，梁在衬底之上。互连在梁上。蚀刻停止层在梁之上。间隙在梁与蚀刻停止层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 mems 结构 互连 | ||
【主权项】：
一种电子器件包括：后端工艺（BEOL）结构，所述后端工艺（BEOL）结构包括衬底之上的梁，其中梁由一个或多个过孔固定。
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