[发明专利]防止通孔着落短接的倒置选择性电介质交联有效
| 申请号： | 201580080368.6 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108040499B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | K.林;R.L.布里斯托尔;J.M.布莱克韦尔;R.豪拉尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包含具有通孔的互连结构以及形成这类结构的方法。在实施例中，互连结构包括第一层间电介质(ILD)。第一互连线和第二互连线延伸到第一ILD中。按照实施例，第二ILD定位在第一互连线和第二互连线之上。通孔可经过第二ILD延伸并且电耦合到第一互连线。另外，本发明的实施例包含定位在第二互连线之上的通孔的底部表面的一部分。但是，按照本发明的实施例，隔离层可定位在通孔的底部表面与第二互连线的顶部表面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 着落 倒置 选择性 电介质 交联 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：第一层间电介质(ILD)；延伸到所述第一ILD中的第一互连线；延伸到所述第一ILD中的第二互连线；定位在所述第一互连线和所述第二互连线之上的第二ILD；经过所述第二ILD延伸并且电耦合到所述第一互连线的通孔，其中所述通孔的底部表面的一部分定位在所述第二互连线之上；以及定位在所述通孔的所述底部表面与所述第二互连线的顶部表面之间的隔离层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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