[发明专利]半导体工件的激光图案化方法有效
申请号: | 201580080447.7 | 申请日: | 2015-06-01 |
公开(公告)号: | CN108472765B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 艾基迪宙斯·瓦那加斯;迪基加斯·金巴拉斯;劳瑞纳斯·维塞利斯 | 申请(专利权)人: | 艾维纳科技有限责任公司 |
主分类号: | B23K26/067 | 分类号: | B23K26/067;B23K26/364;B23K26/0622;B23K101/40;B23K103/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 立陶宛维尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体工件的激光图案化方法,可以单一传递步骤有效且快速的分离形成于一硬脆基板(6)上的半导体元件。该方法基于沿深入一工件(6)的切割轨迹形成断裂;过程中的热应力由至少两个加工(极短脉冲)激光束(7)的传递产生,包含第一及第二脉冲。该第一脉冲用以生成一热累积区,能更有效的吸收该第二脉冲,该第二脉冲产生足够的热梯度以产生机械故障,足以使该工件(6)断裂成片。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工件 激光 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体工件的激光图案化方法,其中该工件包含至少一基层,而该基层由一硬脆的材料制成,其中该材料具有介于2.5至4eV的能带隙;该工件具有相互平行的一第一表面与一第二表面,且该方法使用一脉冲激光束放射源,以射出至少两个脉冲激光束,即第一脉冲激光束及一第二脉冲激光束;其中该工件或该脉冲激光束沿着一预期切割轨迹相对地移动,其特征在于:一初始光束通过一光束操纵组件被引导,其中该光束操纵组件用以分离自该脉冲激光束放射源射出的该初始光束,其中该初始光束被分离成至少一该第一脉冲激光束及至少一该第二脉冲激光束,其中该第一脉冲激光束具有一第一脉冲,而该第二脉冲激光束具有一第二脉冲;随后该第一脉冲激光束及该第二脉冲激光束通过一聚光装置传送至该工件中预定的划刻面至少一预期切割轨迹,其中该第一及第二脉冲激光束在每微米2至8个脉冲的脉冲封装中传送至该工件中预定的划刻面;各该第一脉冲伴随着至少一对应的第二脉冲,且具有一延迟时间从10到1000皮秒;射至该工件上的第一脉冲激光束于至少一热影响区块激活并维持表面烧蚀和热能积聚,且对应的第二脉冲激光束与所述热影响区块重叠;借此,一热梯度及快速非均匀冷却产生了多个自所述基层表面延伸,及沿该划刻面深入该基层的裂纹及断裂。
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