[发明专利]用于形成相同管芯上的具有变化的沟道材料的晶体管的技术

摘要

公开了用于形成相同衬底上的具有变化的沟道材料的晶体管的技术。所述技术包括在衬底中形成替代材料区，这样的区用于由其形成多个翅片，翅片用于形成晶体管沟道区。在示例情况下，衬底可以包括Si，并且替代材料可以包括Ge、SiGe和/或至少一个III‑V材料。替代材料区可以具有足以确保替代材料与衬底材料之间的基本上平面的界面的宽度。因此，由替代材料区形成的翅片也可以具有替代材料与衬底材料之间的基本上平面的界面。由于能够形成具有这样的基本上平面的界面的替代材料沟道区的一个示例益处可以包括固定电压下的电流流动方面的至少百分之三十的改进。

主权项

一种集成电路，包括：衬底；包括沟道区的第一晶体管，第一晶体管沟道区形成在衬底上或者由衬底的一部分形成并且包括第一材料；以及包括沟道区的第二晶体管，第二晶体管沟道区形成在衬底上并且包括第二材料；其中第二材料与衬底之间的界面是基本上平面的，因为它是非刻面化的并且基本上没有无定形化和结晶损坏。