[发明专利]异质结及由其衍生的电子器件有效
| 申请号： | 201580081002.0 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN108064420B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·威特斯;康斯坦丁·诺沃肖洛夫 | 申请（专利权）人： | 纳米2D材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26;H01L33/32;H01L33/34;H01L29/15;H01L29/16;H01L29/24;H01L29/267;H01L29/41;H05B33/14;H05B33/20;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王子晔;姚开丽 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 石墨烯和相关2D材料的问世最近产生了一项新技术：基于这些原子级厚的晶体的异质结。该范例证明了其本身非常多样化，并且产生了具有负差分电阻的隧道二极管、隧道晶体管、光伏器件等的快速示范。在本发明中，通过引入以一个原子平面精度设计的量子阱(QW)，这种范德瓦尔斯异质结的复杂性和功能性被带到下一级。本文描述了通过将金属石墨烯、绝缘六方氮化硼和各种半导体单层堆叠成复杂但精心设计的序列所制成的发光二极管(LED)。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 衍生 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯的垂直异质结，包括至少两个石墨烯层、至少一个绝缘层和至少两个半导体层。
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