[发明专利]源费米滤波器场效应晶体管有效
| 申请号： | 201580081177.1 | 申请日： | 2015-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107787525B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | U.E.阿夫西;I.A.扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/775;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 讨论了在源极和源极触点之间具有费米滤波器的费米滤波器场效应晶体管、结合这样的晶体管的系统以及用于形成它们的方法。这样的晶体管可以包括两者均具有第一极性的源极和漏极之间的沟道以及源极和源极触点之间的费米滤波器，使得费米滤波器具有与第一极性互补的第二极性。 | ||
| 搜索关键词： | 费米 滤波器 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：布置在源极和漏极之间的沟道，其中所述源极和所述漏极包括第一极性；邻近所述沟道的栅极；以及布置在所述源极和源极触点之间的费米滤波器，其中所述费米滤波器包括与所述第一极性互补的第二极性，并且其中所述费米滤波器和所述源极包括在它们之间的、具有距所述栅极的横向距离的隧道结。
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