[发明专利]制作半导体X射线检测器的方法有效
| 申请号： | 201580081257.7 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN107710021B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L27/146;H01L31/09 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 罗水江 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本文公开制作适合于检测X射线的装置(100)的方法，该方法包括：使晶片(其包括X射线吸收层(110))附着到衬底(900)表面，其中该表面导电；使晶片变薄；在晶片中形成电触点(119A)；使电子层(120)接合到晶片使得晶片的电触点(119A)电连接到电子层(120)的电触点(125)。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 射线 检测器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作适合于检测X射线的装置的方法，所述方法包括：获取包括X射线吸收层的晶片；获取衬底，所述衬底的表面导电；使所述晶片附着到所述表面；使所述X射线吸收层变薄；在所述X射线吸收层中形成电触点；使电子层接合到所述X射线吸收层使得所述X射线吸收层的电触点电连接到所述电子层的电触点。
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