[发明专利]III族氮化物互补式晶体管有效
| 申请号： | 201580081442.6 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107851612B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 储荣明;曹雨 | 申请（专利权）人： | 赫尔实验室有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：基板；位于基板上的III族氮化物缓冲层；N沟道晶体管，其包括位于缓冲层的一部分上的III族氮化物N沟道层，和位于N沟道层的顶部用于提供电子的III族氮化物N势垒层，其中，N势垒层具有比N沟道层更宽的带隙；P沟道晶体管，其包括位于缓冲层的另一部分上的用于协助空穴积累的III族氮化物P势垒层，在P势垒层上的III族氮化物P沟道层，其中，P势垒层具有比P沟道层更宽的带隙，和位于P沟道层顶部的掺杂有P型掺杂物的III族氮化物覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 互补 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：基板；位于所述基板上的III族氮化物缓冲层；N沟道晶体管，所述N沟道晶体管包括：位于所述缓冲层的一部分上的III族氮化物N沟道层；和位于所述N沟道层顶部用于提供电子的III族氮化物N势垒层，其中，所述N势垒层具有比所述N沟道层更宽的带隙；P沟道晶体管，所述P沟道晶体管包括：位于所述缓冲层的另一部分上的用于协助空穴积累的III族氮化物P势垒层；位于所述P势垒层顶部的III族氮化物P沟道层，其中，所述P势垒层具有比所述P沟道层更宽的带隙；和位于所述P沟道层顶部的掺杂有P类型掺杂剂的III族氮化物覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
