[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池在审
申请号: | 201580081781.4 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN107851681A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 浜笃郎;西村邦彦;西村慎也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 肖靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 目的在于,在形成固相扩散源的膜后,接着在进行基于热处理的杂质扩散时,抑制杂质混入到背面,得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法,包括在具有受光面(1A)以及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序;以及热处理工序,加热n型单晶硅基板(1),使作为第2导电类型的杂质的硼从BSG膜(2)扩散而形成p型扩散层(7),在热处理工序之前,包括去除形成于背面1B的含硼生成物(4)、含氧化硅生成物(5)等固相扩散源的膜的工序。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:在具有第1主面以及第2主面的第1导电类型的半导体基板形成固相扩散源的膜的工序;以及热处理工序,加热所述半导体基板,使第2导电类型的杂质从所述固相扩散源扩散来形成第2导电类型的扩散层,在所述热处理工序之前,包括去除形成于所述第2主面的所述固相扩散源的膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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