[发明专利]自对准存储器阵列在审
| 申请号： | 201580082489.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN108028060A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | E·V·卡尔波夫;U·沙阿;R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括一种存储器阵列，该存储器阵列包括：存储器单元，其包括与存储器堆叠串联的开关堆叠；以及在存储器单元上方的位线和在存储器单元下方的字线；其中(a)开关堆叠的第一开关堆叠侧壁与位线的位线侧壁垂直对准，并且开关堆叠的第二开关堆叠侧壁与字线的字线侧壁垂直对准；(b)存储器堆叠的第一存储器堆叠侧壁与位线侧壁垂直对准，并且存储器堆叠的第二存储器堆叠侧壁与字线侧壁垂直对准。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在第一金属层上形成开关堆叠平面和存储器堆叠平面两者；将第一掩模设置在所述存储器堆叠平面上方，以及基于所述第一掩模去除所述开关堆叠平面、所述存储器堆叠平面和所述第一金属层的部分以便在由所述第一金属层形成的字线上方形成开关堆叠条和存储器堆叠条，其中，所述开关堆叠条的第一开关堆叠侧壁和所述存储器堆叠条的第一存储器堆叠侧壁与所述字线的字线侧壁垂直对准；在所述字线上形成第二金属层；以及将第二掩模设置在所述字线上方，以及基于所述第二掩模去除所述开关堆叠条、所述存储器堆叠条和所述第二金属层的部分以便在由所述第二金属层形成的位线下方形成包括所述开关堆叠条和所述存储器堆叠条的部分的存储器单元，其中，剩余的开关堆叠条部分的第二开关堆叠侧壁和剩余的存储器堆叠条部分的第二存储器堆叠侧壁与所述位线的位线侧壁垂直对准。
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