[发明专利]应变垂直磁隧道结器件有效
| 申请号： | 201580082657.X | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107924992B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | P·P·马德拉斯;M·T·拉赫曼;C·J·维甘德;B·梅茨;O·戈隆茨卡;K·P·奥布莱恩;M·L·多齐;B·S·多伊尔;T·加尼;K·奥乌兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/85 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有横向应变自由磁性层的MTJ材料叠置体，采用这样的叠置体的STTM器件以及采用这样的STTM器件的计算平台。在一些实施例中，垂直pMTJ材料叠置体包括被围绕的材料进行横向压应变的自由磁性层，这为一些更稳定器件增大了矫顽场强度。在一些实施例中，一种pMTJ材料叠置体被封入压应力材料中。在一些其它实施例中，一种pMTJ材料叠置体首先被封入电介质外壳中，允许在外壳上方沉积导电材料作为有压应力的应变诱导材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 垂直 隧道 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直磁隧道结(pMTJ)器件，包括：设置在衬底之上的pMTJ材料叠置体，所述材料叠置体包括设置在固定磁性材料层与自由磁性材料层之间的隧道电介质材料层，所述固定磁性材料层和所述自由磁性材料层两者都具有垂直磁各向异性；设置在所述pMTJ叠置体之上的电介质材料层，所述电介质材料层覆盖至少所述自由磁性材料层的外围侧壁；以及设置在所述电介质之上的金属，其至少部分围绕所述外围侧壁。
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