[发明专利]与磁感应器集成的晶体管的两侧上的金属在审
| 申请号： | 201580082741.1 | 申请日： | 2015-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107924949A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | P.莫罗;P.B.费舍尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 郑浩,杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种设备以及包含设备的系统，设备包含电路结构，其包含装置层，其包括多个晶体管装置，各包含第一侧和相反的第二侧；感应器，设置在结构的第二侧上；以及接触部，耦合到感应器并且经过装置层布线，并且在第一侧上耦合到多个晶体管装置中的至少一个。一种方法包含在衬底上形成多个晶体管装置，限定装置层的多个晶体管装置包含第一侧和相反的第二侧，其中第二侧耦合到衬底；去除衬底的一部分；在装置层的第二侧上形成至少一个感应器；以及将至少一个感应器耦合到多个晶体管装置中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 感应器 集成 晶体管 两侧 金属 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：电路结构，包括装置层，其包括多个晶体管装置，其各包括第一侧和相反的第二侧；感应器，设置在所述结构的所述第二侧上；以及接触部，耦合到所述感应器，并且经过所述装置层来布线，且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个。
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