[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201580082816.6 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107924941B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种隧穿场效应晶体管(TFET)及其制备方法，属于半导体技术领域。TFET中的沟道区(202)连接源区(201)和漏区(203)；口袋层(204)和栅氧层(205)依次制备于源区与栅区之间；源区中的第一区域制备有金属层，第一区域位于源区与口袋层相接触侧，口袋层至少部分覆盖金属层；口袋层与源区中的第二区域组成TFET的第一隧穿结，口袋层与金属层组成TFET的第二隧穿结。本发明通过源区中的第一区域制备有金属层，使得口袋层与源区中非金属层所在的第二区域组成TFET的第一隧穿结，口袋层与金属层组成TFET的第二隧穿结，相对于仅由口袋层与源区组成隧穿结的TFET，能够通过口袋层与金属层组成的隧穿结增加隧穿电流，从而实现在不增加TFET版图面积的情况下，增加TFET的隧穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580082816.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多人使用的耳机
- 下一篇：一种环境辐射水平监测仪电路
- 同类专利
- 专利分类
