[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580083340.8 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028284B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本说明书所公开的技术能够通过对电导率调制的水平进行调整，从而在恢复动作时抑制载流子的局部集中。半导体装置具有：第1导电型的半导体层(101)；第1导电型的第1杂质层(10、10a至10g)，其在半导体层的背面局部地扩散，且杂质浓度比半导体层的杂质浓度高；以及第2导电型的多个第2杂质层(12、13)，它们在半导体层的表面局部地扩散，第1杂质层在俯视观察时，在第2杂质层彼此之间形成于不与第2杂质层重叠的位置，在半导体层的表面处的第2杂质层彼此之间仅存在半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：第1导电型的半导体层(101)；第1导电型的第1杂质层(10、10a至10g)，其在所述半导体层(101)的背面局部地扩散，且杂质浓度比所述半导体层(101)的杂质浓度高；以及第2导电型的多个第2杂质层(12、13)，它们在所述半导体层(101)的表面局部地扩散，所述第1杂质层(10、10a至10g)在俯视观察时，在所述第2杂质层(12、13)彼此之间形成于不与所述第2杂质层(12、13)重叠的位置，在所述半导体层(101)的表面处的所述第2杂质层(12、13)彼此之间仅存在所述半导体层(101)。
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