[发明专利]制作背侧金属的接触部的卷绕源极/漏极方法有效
| 申请号： | 201580083367.7 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028280B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | P.莫罗;K.俊;I-S.宋;D.W.纳尔逊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种设备包含：电路结构，其包含第一侧和相反的第二侧，第一侧包含具有多个器件的器件层；耦合到第一侧上的多个器件中的一个的导电接触部；以及部署在该结构的第二侧上并耦合到传导接触部的导电互连。一种方法包含：形成包含位于源极和漏极之间的沟道与位于沟道上限定器件的第一侧的栅极电极的晶体管器件；从第一侧形成到源极和漏极中的一个的导电接触部；以及在器件的第二侧上形成互连，其中互连耦合到接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 金属 接触 卷绕 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：电路结构，其包括第一侧和相反的第二侧，所述第一侧包括器件层，所述器件层包括多个器件；耦合到所述第一侧上的所述多个器件中的一个的导电接触部；以及部署在所述结构的所述第二侧上并耦合到传导接触部的导电互连。
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