[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201580083786.0 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108140672B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 赵静;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，该隧穿场效应晶体管中源区(30)位于氧化物结构(20)两侧，外延层(40)位于源区(30)背离氧化物结构(20)一侧表面，栅极结构(50)位于外延层(40)背离源区(30)一侧表面，从而使得隧穿场效应晶体管的栅极电场方向与电子隧穿方向一致，源区价带的载流子隧穿到外延层导带的隧穿效率较高，可以产生陡直的亚阈值摆幅，进而使得隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅值低于60mV/dec，功耗较小。而且，本发明实施例中，外延层(40)全部位于栅极结构(50)与源区(30)之间，增加了外延层(40)与源区(30)之间的隧穿面积，进一步提高了隧穿场效应晶体管的亚阈值特性，降低了隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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