[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201580083855.8 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108140673B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 赵静;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，该隧穿场效应晶体管(30)包括：衬底层(31)，源区(32)覆盖在衬底层(31)的部分表面，第一绝缘层(33)覆盖在源区(32)远离衬底层(31)的一端面上；漏区(34)覆盖在第一绝缘层(33)远离源区(32)的表面上；第二绝缘层(35)覆盖在衬底层(31)上位于源区(32)周围，外延层(36)覆盖在源区(32)的侧面上，且外延层(36)与第二绝缘层(35)远离衬底层(31)的表面接触；栅区(37)覆盖在外延层(36)远离源区(32)的表面上，分别与外延层(36)和第二绝缘层(35)接触，通过将外延层(36)围绕源区(32)，栅区(37)作用在源区(32)两侧，源区(32)表面均受到栅电场的作用，而且栅区电场方向和源区载流子隧穿方向一致，增强隧穿几率，源区内部载流子没有竞争关系，增强栅电场作用力，使外延层完全耗尽，减小器件的亚阈值摆幅，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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