[发明专利]用于锂-硫电池的含有高石墨化的碳材料的硫-碳复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201580084451.0 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108352514A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 郭玉国;张娟;殷亚侠;陈赟华;赵娜红 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 柴丽敏 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含高石墨化的碳材料和硫的硫‑碳复合材料，其中高石墨化的碳材料具有较高的石墨化程度，其特征在于在拉曼光谱中G带与D带的强度比大于1.0，所述材料或者是石墨化的微孔碳基质，或者是由石墨化的微孔碳层包覆导电内核的核‑壳材料；其中硫被封装在所述高石墨化的碳材料的多孔结构中，本发明还涉及包含所述硫‑碳复合材料的电极和锂‑硫电池，以及制备所述硫‑碳复合材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高石墨 碳材料 碳复合材料 石墨化 微孔 制备 硫-碳复合材料 锂-硫电池 多孔结构 拉曼光谱 壳材料 硫电池 强度比 碳基质 电极 导电 包覆 内核 碳层 封装 | ||
【主权项】：
1.硫‑碳复合材料，包含高石墨化的碳材料和硫，其中所述高石墨化的碳材料具有高的石墨化程度，由拉曼光谱中G带与D带的强度比大于1.0来表征，所述材料或者是石墨化的微孔碳基质，或者是具有被石墨化的微孔碳层包覆的导电内核的核‑壳材料，并且其中，硫被封装在所述高石墨化的碳材料的多孔结构中。
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