[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201580084538.8 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN108352401A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。通过设置位于源区上方的栅介质层的栅电容大于位于沟道区上方的栅介质层的栅电容，使得在相同栅压下，栅压对线隧穿结的调控能力强于对点隧穿结的调控能力，因此，点隧穿结所需的开启电压相对增大，因而能够延缓或者推迟点隧穿结的开启，从而保证线隧穿能够主宰整个器件的开启，确保TFEF具有比较陡峭的亚阈值特性，使得TFET的功耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 隧穿结 隧穿场效应晶体管 调控能力 栅介质层 栅电容 栅压 制备 半导体技术领域 亚阈值特性 功耗降低 开启电压 沟道区 对线 隧穿 源区 陡峭 延缓 保证 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580084538.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包封的纳米结构及其制造方法
- 下一篇：半导体装置和半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
