[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580084681.7 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN108292671B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | S·T·马;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;C·S·莫哈帕特拉;G·杜威;N·M·拉哈尔-乌拉比;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 装置包括：在衬底上的非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上的栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道材料上和阻挡材料上。方法包括：在衬底上形成非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上形成栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道上和阻挡材料上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：位于衬底上的非平面主体，所述非平面主体包括位于阻挡材料上的导电沟道材料，所述沟道材料设置在结区之间并且包括与所述阻挡材料的带隙不同的带隙；以及位于所述主体上的栅极叠置体，所述栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，所述第一栅极电极材料包括第一逸出功，所述第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，所述第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，所述第二栅极电极材料设置(1)在所述沟道材料和所述第一栅极电极材料之间的所述沟道材料上并设置(2)在所述阻挡材料上。
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