[发明专利]具有增强隧穿磁阻比的存储器单元、包括其的存储器设备和系统有效
| 申请号： | 201580084836.7 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108292701B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | B·S·多伊尔;E·V·卡尔波夫;K·奥乌兹;K·P·奥布莱恩;C·C·郭;M·L·多齐;U·沙阿;王奕 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有提高的隧穿磁阻比(TMR)的存储器单元。在一些实施方式中，这样的设备可以包括与隧穿磁阻在增强元件(TMRE)串联耦合的磁阻式隧道结(MTJ)元件。MTJ元件和TMRE中的每个可以配置成例如响应于电压而在高和低电阻状态之间转换。在一些实施方式中，MTJ和TMRE配置成使得当读取电压施加到单元同时MTJ处于其低电阻状态中时，TMRE被驱动到低电阻状态，以及当这样的电压被施加同时MTJ处于其高电阻状态中时，TMRE保持在其高电阻状态中。还公开了包括这样的存储器单元的设备和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 磁阻 存储器 单元 包括 设备 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，包括：晶体管；磁阻式隧道结(MTJ)元件；与所述MTJ元件串联耦合的隧穿磁阻增强元件(TMRE)；并且其中，所述晶体管与所述MTJ元件和所述TMRE中的至少一个串联耦合。
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