[发明专利]片上集成无源器件有效
| 申请号： | 201580084896.9 | 申请日： | 2015-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108604587B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·S·加德纳;爱德华·A·伯顿;格哈德·舒朗姆;拉里·E·莫斯利 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例通常涉及片上集成无源器件。一种设备的实施例包括：半导体管芯；半导体管芯封装，该封装的第一侧与半导体管芯耦合；以及一个或多个单独管芯，用以提供用于半导体管芯的操作的无源部件，其中用于半导体管芯的操作的无源部件包括电感器。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 无源 器件 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：半导体管芯；半导体管芯封装，所述封装的第一侧与所述半导体管芯耦合；以及一个或多个单独管芯，用以提供用于所述半导体管芯的操作的多个无源部件：其中用于所述半导体管芯的操作的多个无源部件包括多个电感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580084896.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：半导体装置以及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
