[发明专利]垂直嵌入的无源组件在审
| 申请号： | 201580084901.6 | 申请日： | 2015-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108292641A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | W.J.兰伯特;M.K.罗伊;M.J.马努沙罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;张金金 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施例一般针对垂直嵌入的无源组件。装置的实施例包括半导体管芯;以及与半导体管芯耦合的封装。该封装包括与半导体管芯连接的一个或多个无源组件，该一个或多个无源组件垂直嵌入封装衬底中，无源组件中的每个包括第一端子和第二端子。第一无源组件嵌入在封装中钻孔的通孔中，第一无源组件的第一端子借助通过封装上的上堆积层的过孔连接到半导体管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 无源组件 半导体管芯 封装 垂直 嵌入的 嵌入 堆积层 耦合的 钻孔 通孔 | ||
【主权项】：
1. 一种装置，包括：半导体管芯;以及与所述半导体管芯耦合的封装，所述封装包括与所述半导体管芯连接的一个或多个无源组件，所述一个或多个无源组件垂直嵌入所述封装衬底中，所述无源组件中的每个包括第一端子和第二端子;其中第一无源组件嵌入在所述封装中钻孔的通孔中，所述第一无源组件的所述第一端子借助通过所述封装上的上堆积层的过孔连接至所述半导体管芯。
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