[发明专利]具有嵌入式电介质间隔的纳米线晶体管在审
| 申请号： | 201580085511.0 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108475697A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | W.拉赫马迪;S.H.宋;J.T.卡瓦利罗斯;S.K.加德纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 纳米线晶体管包括用来使栅极电极与晶体管的源极和漏极区分离的嵌入式电介质间隔。嵌入式间隔设置在通道的内部侧壁内，栅极电极通过该通道包围半导体丝。这些嵌入式间隔的存在可以显著降低边缘电容，特别是当晶体管中的线/带/丝的数目增加且内部栅极电极通道的数目增加时。在一些有利实施例中，在外部表面变成嵌入晶体管中之前通过包封那些表面来制造嵌入式电介质间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 电介质间隔 晶体管 纳米线晶体管 数目增加 栅极电极 内部栅极电极 边缘电容 间隔设置 内部侧壁 外部表面 漏极区 包封 源极 半导体 嵌入 包围 制造 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线晶体管，该晶体管包括：衬底；在设置在衬底上面的源极和漏极之间延伸第一横向长度的第一半导体丝；设置在第一丝和第一横向长度的沟道部分内的衬底之间的栅极堆叠，该栅极堆叠包括通过栅极电介质材料与第一丝分离的栅极电极材料；以及一对嵌入式电介质间隔，其被设置在第一丝和第一横向长度的端部部分内的衬底之间，并且使栅极堆叠与源极和漏极分离。
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