[发明专利]具有普适性的Au修饰氧化物半导体的制备方法在审
| 申请号： | 201610001783.4 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105537620A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 徐芳;白丹丹;党治国;武大鹏;高志勇;蒋凯 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453007 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有普适性的Au修饰氧化物半导体的制备方法，具体步骤为：（1）将HAuCl4溶于无水乙醇，再加入聚乙烯吡咯烷酮并搅拌均匀得到混合溶液，混合溶液中HAuCl4的摩尔浓度为0.01~0.1mmol/L，聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为2g/L；（2）将氧化物半导体浸入步骤（1）得到的混合溶液中，在紫外光下照射10~30分钟，然后将样品取出清洗并自然晾干得到Au修饰氧化物半导体。本发明操作简单，成本低廉，便于大范围推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 普适性 au 修饰 氧化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有普适性的Au修饰氧化物半导体的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）将HAuCl4溶于无水乙醇，再加入聚乙烯吡咯烷酮并搅拌均匀得到混合溶液，混合溶液中HAuCl4的摩尔浓度为0.01~0.1mmol/L，聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为2g/L；（2）将氧化物半导体浸入步骤（1）得到的混合溶液中，在紫外光下照射10‑30分钟，然后将样品取出清洗并自然晾干得到Au修饰氧化物半导体。
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